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      IGBT模塊FZ1000R33HL3
      點擊次數:346 更新時間:2023-11-17

      IGBT模塊FZ1000R33HL3

      IGBT模塊FZ1000R33HE3

      IGBT模塊FZ1200R33HE3

      IGBT模塊FZ1500R33HE3

      IGBT模塊FZ1500R33HL3

      IGBT模塊FZ1600R33HE4

      IGBT模塊FZ1400R33HE4

      IGBT模塊FZ2400R33HE4

      IGBT模塊FF450R33T3E3

      IGBT模塊FZ825R33HE4D


      品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊,最大規格1mΩ

      英飛凌工業半導體 2023-11-10 08:01 

      新品

      采用 1200V SiC M1H芯片的

      62mm半橋模塊,最大規格1mΩ

      圖片


      1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模塊現已上市。由于采用了 M1H芯片技術,模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅動電壓窗口方面性能得到了改善。這些模塊還提供預涂導熱界面材料(TIM)版本。


      相關產品:

      • 1,2,6mΩ,1200V 62mm半橋模塊

      圖片


      產品特點

      集成體二極管,優化了熱阻

      最高的防潮性能

      柵極氧化層可靠性

      抗宇宙射線能力強

      符合RoHS標準要求


      應用價值

      按照應用苛刻條件優化

      更低的電壓過沖

      導通損耗最小

      高速開關,損耗極低

      對稱模塊設計實現對稱的上下橋臂開關行為

      標準模塊封裝技術確??煽啃?/p>

      62毫米高產量生產線上生產


      競爭優勢

      通過碳化硅擴展成熟的62毫米封裝的產品,以滿足快速開關要求和低損耗的應用。

      電流密度最高,防潮性能強


      應用領域


      儲能系統

      電動汽車充電

      光伏逆變器

      UPS



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